파워 인테그레이션스(Power Integrations)(NASDAQ: POWI는 오늘 1250V PowiGaN™ 스위치를 탑재한 세계에서 전압이 가장 높은 단일 스위치 갈륨 나이트라이드(GaN) 파워 서플라이 IC를 출시했다. InnoSwitch™3-EP 1250V IC는 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 InnoSwitch 오프라인 CV/CC QR 플라이백 스위치 IC 제품군의 최신 제품으로, 동기 정류, FluxLink™ 안전 절연 피드백 및 다양한 스위치 옵션(725V 실리콘, 1700V 실리콘 카바이드, 750V, 900V 및 현재 1250V 종류의 PowiGaN)이 특징이다.

파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 독점적인 1250V PowiGaN 기술의 스위칭 손실은 동일 전압 동급 실리콘 디바이스에서 볼 수 있는 손실의 1/3 미만이다. 그 결과, 전력 변환 효율이 93%까지 높아졌으며, 히트싱크 없이 최대 85W의 전력을 공급할 수 있는 초소형 플라이백 파워 서플라이가 가능해졌다.

파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 기술 부문 Radu Barsan 부사장은 “파워 인테그레이션스(Power Integrations)는 고전압 GaN 기술 개발과 상용 보급 분야에서 최첨단 기술을 계속 발전시키고 있어 최상의 최고 전압 실리콘 MOSFET마저도 그 과정에서 한물간 것으로 만들어 버린다. 우리는 2019년에 처음으로 GaN 기반 파워 서플라이 IC를 대량으로 출시했으며, 올해 초에는 GaN 기반 InnoSwitch 제품 900V 버전을 선보였다. 여기서 새로운 1250V 디바이스를 통해 설명한 고전압 GaN 기술의 지속적인 개발은 GaN의 효율 이점을 현재의 실리콘 카바이드 기술이 제공하는 많은 애플리케이션을 비롯하여 더욱 광범위한 분야로 확장한다”고 설명했다.

새로운 InnoSwitch3-EP 1250V IC를 사용하는 설계자는 1000V의 작동 피크 전압을 자신 있게 지정할 수 있어 업계 표준인 1250V 절대 최대치에서의 80% 디레이팅이 가능하다. 이는 산업용 애플리케이션에 상당한 여력을 제공하며 견고성이 그리드 불안정, 서지 및 기타 전력 변동에 대한 필수 방어 수단인 까다로운 전력망 환경에서 특히 유용하다.

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