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인피니언, CoolSiC™ MOSFET 2000V 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 TO-247PLUS-4-HCC 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC™ MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압(breakdown voltage)을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스로, 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 이상적이다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션(hard commutation)을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 XT 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 차량용 및 산업용 솔루션을 위한 CoolSiC™ MOSFET 750V G1 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 산업용 및 차량용 전력 애플리케이션에서 증가하고 있는 더 높은 효율과 전력 밀도에 대한 요구에 대응하기 위해 750V G1 디스크리트 CoolSiC™ MOSFET을 출시한다고 밝혔다. 이 제품군은 토템폴 PFC, T-타입, LLC/CLLC, DAB(듀얼 능동 브리지), HERIC, 벅/부스트, PSFB(위상 편이 풀 브리지) 토폴로지에 최적화된 산업용 및 차량용 등급의 SiC MOSFET으로 구성된다. 이들 MOSFET은 전기차 충전, 산업용 드라이브, 태양광 및 에너지 저장 시스템, 솔리드 스테이트 회로 차단기, UPS 시스템, 서버/데이터센터, 텔레콤 등의 산업용 애플리케이션과 온보드 차저(OBC), DC-DC 컨버터 등의 차량용 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 750V G1 기술은 뛰어난 RDS(on) x Qfr 및 RDS(on) x Qoss FOM(figure of merit)을 특징으로 하며, 각각 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에 서 매우 높은 효율을 달성한다. 높은 임계 전압(VGS(th), 4.3V 정격)과 낮은 QGD/QGS 비율의 고유한 조합은 기생 턴온에 대한 견고성을 높이고 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 한다. 이것은 시스템의 전력 밀도를 높이고 비용을 낮추는 것으로 이어진다. 모든 디바이스는 인피니언 고유의 다이 접착 기술을 사용해서 동일한 다이 크기로 뛰어난 열 임피던스를 제공한다. 신뢰성 높은 게이트 산화막 디자인에 인피니언의 품질 표준이 결합해 견고하고 장기적인 성능을 제공한다. CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군은 25°C에서 RDS(on)이 8mΩ~140mΩ에 이르는 포트폴리오로 다양한 요구를 충족하며, 디자인은 전도 손실과 스위칭 손실을 줄여 전반적인 시스템 효율을 높인다. 혁신적인 패키지는 열 저항을 최소화하고, 열 소산을 향상시키고, 회로 내 전력 루프 인덕턴스를 최적화해 높은 전력 밀도를 달성하고 시스템 비용을 낮춘다. 이 제품군은 첨단 QDPAK 상단면 냉각 패키지로 제공된다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 고성능 시스템을 위한 차세대 실리콘 카바이드 기술 ‘CoolSiC™ MOSFET G2’ 출시인피니언 테크놀로지스가 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC™ MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고, 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 향상된 열 성능·전력 밀도·손쉬운 어셈블리 위한 TOLL 패키지 650V ‘CoolSiC™ MOSFET’ 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 TOLL(TO leadless) 패키지를 적용한 실리콘 카바이드(SiC) ‘CoolSiC™ MOSFET’ 650V 제품군을 출시했다. 이들 새로운 SiC MOSFET은 인피니언의 포괄적인 CoolSiC 포트폴리오를 더 강화하며 서버, 텔레콤 인프라, 에너지 저장 시스템, 배터리 포메이션 솔루션 등의 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 최고의 신뢰성을 달성하며 사용 편의성을 높이도록 설계됐다. CoolSiC 650V 고성능 트렌치 기반 SiC MOSFET은 다양한 애플리케이션을 지원하도록 다양한 구성으로 제공된다. JEDEC 인증 TOLL 패키지의 새로운 제품군은 낮은 기생 인덕턴스를 특징으로 해 높은 스위칭 주파수, 낮은 스위칭 손실, 우수한 열 관리 및 자동 어셈블리를 가능하게 한다. 콤팩트한 폼팩터로 보드 공간을 효율적이고도 효과적으로 사용할 수 있어 시스템 디자이너는 우수한 전력 밀도를 달성할 수 있다. 650V CoolSiC MOSFET은 가혹한 환경에서 매우 우수한 신뢰성을 자랑하므로, 반복적으로 하드 정류를 하는 토폴로지에 적합하다. 내장된 혁신적인 .XT 인터커넥트 기술은 열 저항(Rth)과 열 임피던스(Zth)를 낮춤으로써 디바이스 열 성능을 향상시킨다. 또 기생 턴온에 대한 견고성을 위해 4V 이상의 문턱전압(VGS(th)), 견고한 바디 다이오드, 업계에서 가장 강력한 게이트 산화막(GOX)을 제공해 FIT (failures in time) 레이트가 매우 낮다. 일반적으로 구동 회로를 간소화하기 위해서 0V의 컷오프 전압(VGS(off))이 권장되는데(유니폴라 구동), 이 새로운 제품군은 -5V(턴오프)에서 23V(턴온)까지 넓은 범위의 VGS 전압을 지원한다. 그럼으로써 사용 편의성을 높이고, 다른 SiC MOSFET 및 표준 MOSFET 게이트 드라이버 IC와의 호환을 가능하게 한다. 그뿐만 아니라 높은 신뢰성을 달성하고, 시스템 복잡성을 낮추고 자동 어셈블리를 가능하게 하므로, 시스템 및 생산 비용을 낮추고 시장 출시 기간을 단축하도록 한다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언, TO263-7 패키지를 적용한 차량용 1200V CoolSiC™ 트렌치 MOSFET 출시인피니언 테크놀로지스가 TO263-7을 적용한 새로운 세대의 차량용 1200V CoolSiC™ MOSFET을 출시한다고 밝혔다. 이 오토모티브 등급의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 온보드 차저(OBC)와 DC-DC 애플리케이션에서 높은 전력 밀도와 효율을 달성하고, 양방향 충전을 가능하게 하며, 시스템 비용을 크게 낮추도록 한다. 새로운 1200V CoolSiC 제품은 1세대와 비교해 25% 낮은 스위칭 손실로 동급 최고의 스위칭 성능을 제공한다. 이런 스위칭 동작 향상은 고주파수 동작을 가능하게 해 시스템 크기를 줄이고 전력 밀도를 높이도록 한다. 4V 이상 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))과 극히 낮은 Crss/Ciss 비율로 기생 턴온의 위험 없이 VGS = 0V에서 안정적인 턴오프를 달성한다. 이에 단전원 구동이 가능해 시스템 비용과 복잡성을 줄일 수 있다. 그뿐만 아니라 새로운 제품은 낮은 온저항(RDS(on))을 특징으로 해 -55°C~175°C의 전체 온도 범위에서 도통 손실을 낮춘다. 또 향상된 확산(diffusion) 솔더링 칩 탑재 기술(.XT 기술)을 적용해서 패키지 열 성능을 크게 향상시킴으로써 SiC MOSFET 접합부 온도를 1세대와 비교해서 25%까지 낮춘다. 아울러 5.89㎜의 연면 거리로 800V 시스템의 요구를 충족하고, 코팅 작업을 줄이도록 한다. 인피니언은 다양한 애플리케이션 요구를 충족하도록 다양한 RDS(on) 옵션을 제공한다. 여기에는 TO263-7 패키지로 시장에서 유일한 9mΩ 타입을 포함한다. KOSTAL Automobil Elektrik이 자사 차세대 OBC 플랫폼에 인피니언의 최신 CoolSiC MOSFET을 채택했다. KOSTAL은 세계적인 차량 충전 시스템 회사로, 표준 플랫폼 접근법을 통해서 다양한 OEM의 요구와 글로벌 규격을 충족하는 안전하고 신뢰할 수 있는 고효율 제품을 제공한다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언, 전기차 트랙션 인버터용 HybridPACK™ Drive G2 전력 모듈 출시인피니언 테크놀로지스는 새로운 차량용 전력 모듈 HybridPACK™ Drive G2를 출시한다고 밝혔다. HybridPACK Drive G2는 기존에 널리 사용되고 있는 고집적 B6 패키지의 HybridPACK Drive G1을 기반으로, 동일한 풋프린트로 확장성을 제공하고 더 높은 전력대와 사용 편의성을 제공한다. HybridPACK Drive G2는 다양한 전류 정격과 전압(750V와 1200V)으로 제공되며, 인피니언의 차세대 칩 기술인 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET을 채택하고 있다. 750V 및 1200V 전압대로 최대 300kW의 전력을 제공하는 HybridPACK Drive G2는 사용 편의성을 높이고 새로운 기능을 제공한다. 예를 들어서 차세대 위상 전류 센서와 온칩 온도 센싱 등의 옵션을 통합해 시스템 비용을 낮출 수 있다. 또한 이들 전력 모듈은 향상된 어셈블리 및 인터커넥트 기술을 통해서 더 높은 성능과 전력 밀도를 달성한다. 새로운 인터커넥트 기술(chip sintering)과 새로운 소재(새로운 블랙 플라스틱 하우징)를 채택해 더 높은 온도가 가능하게 됐으며, 그럼으로써 더 높은 성능을 달성하고 제품 수명을 연장하도록 한다. HybridPACK Drive 1세대(G1)는 2017년에 출시됐으며, 실리콘 EDT2 기술을 채택했다. 750V 전압대로 100kW~180kW 전력을 제공한다. 2021년에는 HybridPACK Drive Automotive CoolSiC MOSFET 제품군으로 확장해 인버터 디자인이 1200V 전압대로 최대 250kW의 더 높은 전력, 더 긴 주행 거리, 배터리 크기 소형화, 시스템 크기 및 비용 최적화를 달성했다. 다양한 글로벌 전기차 플랫폼으로 현재까지 약 300만 개의 판매 실적을 보유한 인피니언의 HybridPACK Drive는 전기차 시장을 선도하는 전력 모듈이다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언-슈바이처, 전기차 주행 거리 늘리고 시스템 비용 절감 위해 칩 임베딩 솔루션 개발인피니언 테크놀로지스와 슈바이처 일렉트로닉(Schweizer Electronic AG)은 실리콘 카바이드(SiC) 기반 칩의 효율을 더 높이기 위해 협력한다고 밝혔다. 양 사는 인피니언의 1200V CoolSiC™ 칩을 PCB에 직접 내장하는 칩 임베딩 솔루션을 개발하고 있는데, 이 기술은 전기 자동차의 주행 거리를 늘리고 총 시스템 비용을 절감할 것이다. 양 사는 이미 이 새로운 접근법의 잠재력을 입증했다. 전력 반도체를 PCB에 내장할 수 있는 슈바이처의 혁신적인 p²Pack® 솔루션을 통해 48V MOSFET을 PCB에 내장했으며, 그 결과 성능이 35% 향상됐다. 인피니언 오토모티브 고전압 디스크리트 및 칩 제품 라인 책임자인 로베르트 헤르만(Robert Hermann)은 “우리의 공동 목표는 자동차 전력 전자 장치를 한 단계 끌어올리는 것이다. PCB의 낮은 인덕턴스 환경은 청정하고 빠른 스위칭을 가능하게 한다”며 “1200V CoolSiC™ 디바이스의 선도적인 성능과 결합된 칩 임베딩 기술은 전체 시스템 비용을 절감하는 고집적, 고효율 인버터를 가능하게 한다”고 말했다. 슈바이처 일렉트로닉의 토마스 고트발트(Thomas Gottwald) 기술 담당 부사장은 “인피니언의 100% 전기적 테스트를 거친 표준 셀(S-Cell)을 사용하면 p²Pack 제조 공정에서 높은 전체 수율을 달성할 수 있다”며 “CoolSiC 칩의 빠른 스위칭 특성은 p²Pack으로 달성할 수 있는 낮은 인덕턴스에 따라 최적으로 지원되며 이는 트랙션 인버터, DC-DC 컨버터, 온보드 충전기와 같은 전력 변환 장치의 효율을 향상하고 신뢰성을 개선한다”고 밝혔다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언,1500VDC 애플리케이션을 위한 2kV CoolSic™ 디바이스 출시인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수, 이하 ‘인피니언’)가 1500VDC 애플리케이션을 위한 고전압 솔루션 2kV CoolSiC 디바이스를 출시했다. 고전력 밀도에 대한 요구가 커지면서 개발자들은 인버터 전력을 높이고 시스템 비용을 낮추기 위해 애플리케이션에 1500VDC 링크를 도입하고 있다. 1500VDC 기반 시스템은 높은 DC전압에서 빠르게 스위칭하기 위해 멀티-리벨 토폴로지가 필요하기 때문에 설계가 복잡해지고 더 많은 부품을 요구한다. 이런 새로운 과제를 해결하기 위해 인피니언은 CoolSiC™ 포트폴리오에 고전압 솔루션을 추가해 차세대 태양광, EV 충전, 에너지 저장 시스템을 지원하게 됐다. 확장된 CoolSiC 포트폴리오는 최대 1500VDC 애플리케이션을 위한 2kV 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET과 2kV SiC 다이오드를 제공한다. 새로운 SiC MOSFET은 단일 디바이스에 낮은 스위칭 손실과 높은 블로킹 전압을 결합해 1500VDC 시스템의 요구를 최적으로 충족한다. 새로운 2kV CoolSiC 기술은 낮은 드레인-소스 온 저항[RDS(on)]이 특징이다. 또 견고한 바디 다이오드는 하드 스위칭에 적합하다. 이 기술은 충분한 과전압 마진을 확보해 우주방사선(cosmic ray)으로 인한 FIT가 1700V SiC MOSFET와 비교해 10배 더 우수하다. 확장된 게이트 전압 동작 범위는 디바이스의 사용 편의성을 높인다. 새로운 SiC MOSFET 칩은 인피니언의 첨단 SiC MOSFET 기술인 M1H에 기반한다. M1H는 게이트 전압 범위를 훨씬 더 넓힐 수 있어 주어진 칩 크기의 온 저항을 향상한다. 더 넓은 게이트 전압 범위는 게이트 상에서 드라이버 및 레이아웃 관련 전압 피크의 견고함을 높이고 높은 스위칭 주파수에서도 무리 없이 작동하게 한다. 인피니언은 2kV SiC MOSFET 지원을 위해 최대 2.3kV의 기능적 절연을 적용한 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버를 제공한다. ◇공급 2kV CoolSiC MOSFET 샘플이 현재 EasyPACK™ 3B와 62mm 모듈로 제공되고 있으며 새로운 고전압 디스크리트 TO247-PLUS 패키지로도 제공될 예정이다. 또 2.3kV 절연 가능 EiceDRIVER를 포함한 평가 보드도 제공된다. 4개 부스트 회로를 포함하고 1500V PV 스트링 인버터의 MPPT 스테이지로 사용하기에 적합한 전력 모듈 Easy 3B(DF4-19MR20W3M1HF_B11)는 2022년 3분기, 하프 브리지 구성의 62mm 모듈(3mΩ, 4mΩ, 6mΩ)은 2022년 4분기에 양산을 시작한다. .XT 인터커넥션 기술을 적용한 디스크리트 제품은 2022년 연말에 공급될 예정이다. 자세한 내용은 웹사이트에서 확인할 수 있다. 인피니언 개요 인피니언 테크놀로지스는 생활의 편리함과 안전, 그리고 친환경을 추구하는 세계 반도체 솔루션 시장의 선두주자이다. 인피니언의 마이크로일렉트로닉스는 더 나은 미래를 위한 핵심 기술이다. 2021년 회계년도 (9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 5만280명의 직원들과 함께 111억유로 매출을 달성했다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소 (거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier (거래 심볼: IFNNY)에 등록돼 있다. 인피니언 CoolSiC 웹사이트: http://www.infineon.com/CoolSiC 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언,첨단 CoolSiC™ M1H 기술로 1200V SIC MOSFET 포트폴리오 확장인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolSiC™ 기술인 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H를 21일 발표했다. 첨단 실리콘 카바이드(SiC) 칩은 널리 사용되는 다양한 Easy 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공될 것이다. 유연성이 뛰어난 M1H 칩은 태양광 에너지 시스템의 인버터같이 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션뿐만 아니라 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 및 다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 해 주어진 다이 크기로 온저항을 향상한다. 또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다. ◇Easy 모듈로 전력 밀도 향상 널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해서 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상하게 됐으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다. 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높이고 업계에서 가장 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 됐다. M1H 칩을 사용해서 모듈의 온저항을 크게 향상하고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있게 됐다. 175°C의 최대 접합부 온도는 과부하 성능을 향상함으로써 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높이도록 한다. 앞서 출시된 M1과 비교해서 M1H는 내부 RG를 포함하므로 스위칭 동작을 쉽게 최적화할 수 있으며, 동적 동작은 그대로이다. ◇온저항이 매우 낮은 디스크리트 패키지 제품 CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하며, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다. 인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용됐으며, 이제 TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30% 이상 향상시킨다. 이 열적 이점은 출력 전력을 15%까지 높일 수 있다. 또는 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있으며 그럼으로써 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 .XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮춰 전원 사이클링 성능을 향상시키고 시스템 수명을 늘린다. 이 점은 서보 드라이브 같은 애플리케이션에서 중요하다. ◇공급 모듈 및 디스크리트 제품은 현재 주문할 수 있으며, 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언,현대자동차그룹의 '2021년도 올해의 협력사'로 선정인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 현대자동차그룹으로부터 ‘2021년도 올해의 협력사 특별상(공급망 관리 우수)’을 수상했다고 5일 밝혔다. 현대자동차그룹은 코로나 팬데믹으로 인한 어려운 상황과 전 세계적인 반도체 부족 사태에도 불구하고 불확실한 공급망을 안정화하기 위한 인피니언의 노력을 인정했다. 특히 인피니언은 현대자동차그룹과의 협업을 통한 탁월한 위기관리 능력을 인정받았다. 인피니언 코리아와 인피니언 본사는 시장의 어려운 상황을 관리하기 위해서 유연하고도 전략적인 협력을 제공했다. 이러한 예로, 인피니언은 실리콘 카바이드(SiC) 기반 전력 모듈인 HybridPACK™ CoolSiC™ Drive를 제공해 제품 품질과 새로운 요구에 대응하는 능력을 입증했다. 인피니언 오토모티브 사업부의 피터 쉬퍼(Peter Schiefer) 사장은 “인피니언은 신뢰할 수 있는 파트너가 되고자 한다. 매우 어려운 환경에서도 제품을 제때 공급하기 위한 인피니언의 노력을 고객으로부터 인정받게 돼 영광으로 생각한다”며 “그린 모빌리티로의 전환이 가속됨에 따라 반도체 솔루션에 대한 수요는 계속 증가하고 있다”고 설명했다. 이어 “인피니언은 고품질 제품, 선도적인 기술 및 시스템 전문성, 글로벌 생산 네트워크를 통해 e모빌리티로의 전환을 주도하고 있다”고 말했다. e모빌리티로의 전환은 이제 막 시작됐다. 2021년에 생산된 BEV (배터리 전기차)와 PHEV (플러그인 하이브리드)의 거의 절반이 인버터에 인피니언 반도체를 채택했다. 인피니언은 공급망의 탄력성을 더욱 강화하기 위해 유럽과 아시아에서 고전력 솔루션 생산 및 어셈블리 능력을 지속해서 확대하고 있다. 또한 인피니언은 상당한 와이드 밴드갭(SiC 및 GaN) 반도체 생산 능력을 추가하면서 전력 반도체 시장 리더십을 강화하고 있다. SiC는 전기차 주행거리를 5%에서 10%까지 늘리는 데 이바지할 수 있다. 현대자동차그룹은 2002년부터 ‘올해의 협력사’ 상을 수여하고 있다. 2019년에 인피니언은 반도체 회사 최초로 이 상을 받았다. 이번 수상은 적시 납기에 대한 성과와 현대차 그룹의 경쟁력 강화에 이바지한 공로를 인정받은 것이다. 인피니언 개요 인피니언 테크놀로지스는 생활의 편리함과 안전 그리고 친환경을 추구하는 세계 반도체 솔루션 시장의 선두 주자이다. 인피니언의 마이크로일렉트로닉스는 더 나은 미래를 위한 핵심 기술이다. 2021년 회계연도(9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 5만280명의 직원과 함께 111억유로 매출을 달성했다. 세계 10대 반도체 회사 중 하나인 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier (거래 심볼: IFNNY)에 등록돼 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr