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인피니언, CoolSiC™ MOSFET 2000V 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 TO-247PLUS-4-HCC 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC™ MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 밝혔다. 신제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압(breakdown voltage)을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스로, 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다. 이들 디바이스는 스위칭 손실이 낮아 태양광(스트링 인버터 등), 에너지 저장 시스템 및 전기차 충전 애플리케이션에 이상적이다. CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압으로 업계에 새로운 기준을 제시하며, 하드 커뮤테이션(hard commutation)을 위해 견고한 바디 다이오드를 내장했다. 또한 XT 접합 기술을 적용해 최고 수준의 열 성능을 제공하고, 습기에 대한 내성이 뛰어나다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 차량용 및 산업용 솔루션을 위한 CoolSiC™ MOSFET 750V G1 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 산업용 및 차량용 전력 애플리케이션에서 증가하고 있는 더 높은 효율과 전력 밀도에 대한 요구에 대응하기 위해 750V G1 디스크리트 CoolSiC™ MOSFET을 출시한다고 밝혔다. 이 제품군은 토템폴 PFC, T-타입, LLC/CLLC, DAB(듀얼 능동 브리지), HERIC, 벅/부스트, PSFB(위상 편이 풀 브리지) 토폴로지에 최적화된 산업용 및 차량용 등급의 SiC MOSFET으로 구성된다. 이들 MOSFET은 전기차 충전, 산업용 드라이브, 태양광 및 에너지 저장 시스템, 솔리드 스테이트 회로 차단기, UPS 시스템, 서버/데이터센터, 텔레콤 등의 산업용 애플리케이션과 온보드 차저(OBC), DC-DC 컨버터 등의 차량용 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC MOSFET 750V G1 기술은 뛰어난 RDS(on) x Qfr 및 RDS(on) x Qoss FOM(figure of merit)을 특징으로 하며, 각각 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에 서 매우 높은 효율을 달성한다. 높은 임계 전압(VGS(th), 4.3V 정격)과 낮은 QGD/QGS 비율의 고유한 조합은 기생 턴온에 대한 견고성을 높이고 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 한다. 이것은 시스템의 전력 밀도를 높이고 비용을 낮추는 것으로 이어진다. 모든 디바이스는 인피니언 고유의 다이 접착 기술을 사용해서 동일한 다이 크기로 뛰어난 열 임피던스를 제공한다. 신뢰성 높은 게이트 산화막 디자인에 인피니언의 품질 표준이 결합해 견고하고 장기적인 성능을 제공한다. CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군은 25°C에서 RDS(on)이 8mΩ~140mΩ에 이르는 포트폴리오로 다양한 요구를 충족하며, 디자인은 전도 손실과 스위칭 손실을 줄여 전반적인 시스템 효율을 높인다. 혁신적인 패키지는 열 저항을 최소화하고, 열 소산을 향상시키고, 회로 내 전력 루프 인덕턴스를 최적화해 높은 전력 밀도를 달성하고 시스템 비용을 낮춘다. 이 제품군은 첨단 QDPAK 상단면 냉각 패키지로 제공된다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 고성능 시스템을 위한 차세대 실리콘 카바이드 기술 ‘CoolSiC™ MOSFET G2’ 출시인피니언 테크놀로지스가 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC™ MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대(G2) 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해서 에너지 손실을 낮추고, 전력 변환 시 더 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘릴 수 있다. 신재생에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와트당 비용을 낮출 수 있다. 고성능 CoolSiC G2 솔루션을 구현한 인피니언의 선도적인 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술은 최적화된 디자인을 통해서 기존 SiC MOSFET 기술 대비 더 높은 효율과 신뢰성을 제공한다. CoolSiC G2 기반의 디자인에 기술상을 수상한 .XT 패키징 기술을 결합해 더 높은 열전도성, 더 우수한 어셈블리 관리, 향상된 성능을 구현할 수 있다. 인피니언은 실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드(GaN)를 모두 공급하며, 설계 유연성과 첨단 애플리케이션 노하우로 디자이너들의 기대와 요구를 충족한다. SiC와 GaN 등 와이드 밴드갭(WBG) 소재 기반의 혁신적인 반도체는 에너지를 효율적으로 사용하도록 해 탈탄소화에 기여한다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, AI 데이터 센터의 뛰어난 성능과 총소유비용을 가능하게 하는 고밀도 전력 모듈 출시인피니언 테크놀로지스는 동급 최고의 전력 밀도, 품질 및 총소유비용(TCO)을 가능하게 하는 AI 데이터센터용 TDM2254xD 이중-위상(dual-phase) 전력 모듈 시리즈를 출시한다고 밝혔다. TDM2254xD 시리즈는 OptiMOS™ MOSFET 기술의 혁신과 새로운 패키징 및 고유의 마그네틱 구조를 결합해 견고한 기계적 디자인으로 업계 최고의 전기 및 열 성능을 제공한다. 따라서 데이터 센터를 더 효율적으로 운영해 AI GPU(그래픽 프로세서 유닛) 플랫폼의 높은 전력 수요를 충족하고 TCO를 크게 줄이도록 한다. AI 서버는 기존 서버보다 3배 더 많은 에너지가 필요하며, 데이터 센터는 이미 전 세계 에너지 공급의 2% 이상을 소비한다. 따라서 탈탄소화를 앞당길 수 있는 혁신적인 전력 솔루션 및 아키텍처를 찾아야 한다. 친환경 AI 팩토리로의 여정을 위한 인피니언의 TDM2254xD 이중-위상 전력 모듈은 XDP™ 컨트롤러 기술과 결합해서 뛰어난 전기, 열, 기계적 동작으로 고성능 컴퓨팅 플랫폼에서 효율적인 전압 레귤레이션을 가능하게 한다. TDM2254xD 모듈의 고유한 디자인은 전류와 열전도에 최적화된 새로운 인덕터 디자인을 통해 전력 스테이지에서 방열판으로 열을 효율적으로 전달, 최대 부하에서 업계 평균 모듈보다 2% 더 높은 효율을 제공한다. GPU 코어의 전력 효율을 개선하면 상당한 에너지를 절약할 수 있다. 이는 생성형 AI를 컴퓨팅하는 데이터 센터가 수메가와트를 절약하도록 하며, 이것은 시스템 수명 동안 CO2 배출량을 줄이고 수백만달러의 운영 비용 절감으로 이어진다. 웹사이트: http://www.infineon.com
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인피니언, 온도 센서 통합한 새로운 CoolMOS™ S7T 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 새로운 CoolMOS™ S7T 제품군을 출시한다고 밝혔다. 온도 센서를 통합해 접합부 온도 감지 정확도를 향상시킨 CoolMOS™ S7T 제품군은 많은 전자 애플리케이션의 내구성·안전·효율에 긍정적인 영향을 미친다. CoolMOS™ S7T는 우수한 RDS(on)과 고정밀 내장 센서 덕분에 솔리드 스테이트 릴레이(SSR) 애플리케이션의 성능과 신뢰성을 향상시킨다. SSR은 다양한 전자 디바이스의 기본 부품이므로, 동일한 패키지에 센서를 통합한 수퍼정션 MOSFET은 많은 이점을 제공한다. 인피니언의 혁신적인 접근법이 릴레이 성능을 높이고, 과부하 조건에서도 안정적인 동작을 보장한다. 통합된 온도 센서는 드레인에 위치한 표준 독립 온보드 센서보다 정확도는 최대 40% 더 높고, 응답 시간은 10배 더 빠르다. 또 멀티 디바이스 시스템에서 신뢰성 향상을 위해 모니터링을 개별적으로 수행할 수 있다. 아울러 CoolMOS™ S7T는 전력 트랜지스터를 최적으로 활용해 향상된 성능을 달성하고 출력 스테이지의 정밀한 제어를 가능하게 한다. 향상된 효율과 더 높은 부하를 처리할 수 있는 능력은 전력 소비와 에너지 비용을 줄이는 데 도움이 된다.고유한 출력 스테이지 성능과 높은 과전류 임곗값이 결합해 릴레이 신뢰성을 높이고, 고장과 가동 중단 위험을 최소화한다. 견고한 스위칭 솔루션은 더 안전한 동작을 보장하며, MOSFET의 높은 견고성은 릴레이 수명을 연장한다. 이는 부품 교체 빈도를 줄여서 궁극적으로 유지 보수 비용을 절감하도록 한다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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파워 인테그레이션스, 빠른 회로 단락 보호 기능을 갖춘 62mm SiC 및 IGBT 모듈용 게이트 드라이버 출시파워 인테그레이션스(Power Integrations)(NASDAQ: POWI)는 오늘 안전하고 안정적인 작동을 보장하는 향상된 보호 기능을 갖춘 62mm SiC(실리콘 카바이드) MOSFET 및 최대 1700V 정격 실리콘 IGBT 모듈용 새로운 플러그 앤 플레이 게이트 드라이버 제품군을 발표했다. SCALE™-2 2SP0230T2x0 듀얼 채널 게이트 드라이버는 2마이크로초 이내에 단락 보호 기능을 구현하여 손상을 일으킬 수 있는 과전류로부터 소형 SiC MOSFET을 보호한다. 새로운 드라이버에는 끄는 중에 과전압으로부터 스위치를 보호하는 AAC(Advanced Active Clamping)가 포함되어 있어 DC 링크 동작 전압을 높일 수 있다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 제품 마케팅 매니저 Thorsten Schmidt는 “2SP0230T2x0 게이트 드라이버는 유연하다. 동일한 하드웨어를 사용하여 SiC MOSFET 또는 IGBT 모듈을 구동할 수 있다. 이를 통해 시스템 설계 및 소싱 문제가 줄어들고 플러그 앤 플레이 방식으로 개발 속도를 높일 수 있다”고 설명했다. 철도 보조 컨버터, 오프보드 EV 충전기, 전력망용 STATCOM(STATic synchronous COMpensator) 전압 레귤레이터 등의 애플리케이션에 이상적인 2SP0230T2x0 게이트 드라이버는 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 입증된 SCALE-2 기술을 기반으로 하므로 더 높은 수준의 통합, 더 작은 크기, 더 많은 기능, 더 향상된 시스템 신뢰성을 제공한다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 소형 134×62mm 2SP0230T2x0은 1700V에서 강화된 절연 효과를 제공하므로 최대 1700V 동작에 사용할 수 있으며, 이는 일반적으로 1200V로 제한되는 기존 드라이버보다 500V 더 높은 것이다. 웹사이트: https://www.power.com/
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파워 인테그레이션스, 획기적인 1250V GaN 스위처 IC 출시파워 인테그레이션스(Power Integrations)(NASDAQ: POWI는 오늘 1250V PowiGaN™ 스위치를 탑재한 세계에서 전압이 가장 높은 단일 스위치 갈륨 나이트라이드(GaN) 파워 서플라이 IC를 출시했다. InnoSwitch™3-EP 1250V IC는 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 InnoSwitch 오프라인 CV/CC QR 플라이백 스위치 IC 제품군의 최신 제품으로, 동기 정류, FluxLink™ 안전 절연 피드백 및 다양한 스위치 옵션(725V 실리콘, 1700V 실리콘 카바이드, 750V, 900V 및 현재 1250V 종류의 PowiGaN)이 특징이다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 독점적인 1250V PowiGaN 기술의 스위칭 손실은 동일 전압 동급 실리콘 디바이스에서 볼 수 있는 손실의 1/3 미만이다. 그 결과, 전력 변환 효율이 93%까지 높아졌으며, 히트싱크 없이 최대 85W의 전력을 공급할 수 있는 초소형 플라이백 파워 서플라이가 가능해졌다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 기술 부문 Radu Barsan 부사장은 “파워 인테그레이션스(Power Integrations)는 고전압 GaN 기술 개발과 상용 보급 분야에서 최첨단 기술을 계속 발전시키고 있어 최상의 최고 전압 실리콘 MOSFET마저도 그 과정에서 한물간 것으로 만들어 버린다. 우리는 2019년에 처음으로 GaN 기반 파워 서플라이 IC를 대량으로 출시했으며, 올해 초에는 GaN 기반 InnoSwitch 제품 900V 버전을 선보였다. 여기서 새로운 1250V 디바이스를 통해 설명한 고전압 GaN 기술의 지속적인 개발은 GaN의 효율 이점을 현재의 실리콘 카바이드 기술이 제공하는 많은 애플리케이션을 비롯하여 더욱 광범위한 분야로 확장한다”고 설명했다. 새로운 InnoSwitch3-EP 1250V IC를 사용하는 설계자는 1000V의 작동 피크 전압을 자신 있게 지정할 수 있어 업계 표준인 1250V 절대 최대치에서의 80% 디레이팅이 가능하다. 이는 산업용 애플리케이션에 상당한 여력을 제공하며 견고성이 그리드 불안정, 서지 및 기타 전력 변동에 대한 필수 방어 수단인 까다로운 전력망 환경에서 특히 유용하다. 웹사이트: https://www.power.com
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파워 인테그레이션스, 소형 파워 서플라이용 동급 최고의 효율과 경부하 작동 기능 갖춘 새로운 비절연 플라이백 스위처 IC 출시파워 인테그레이션스(Power Integrations)(NASDAQ: POWI)는 오늘 오프라인 정전압(CV) 비절연 플라이백 스위처 IC LinkSwitch™-XT2SR 제품군을 발표했다. 이 새로운 디바이스는 소형 오픈 프레임 파워 서플라이에 최대 90%라는 독보적으로 높은 효율을 제공한다. 무부하 소비량이 5mW 미만인 LinkSwitch-XT2SR IC는 대기 전력 소비에 대한 유럽 연합의 ErP(에너지 관련 제품) 지침 요구 사항을 쉽게 만족한다. 새로운 IC는 300mW ErP 허용 범위 내에서 250mW를 부하로 전달해 주기 때문에 가전 제품 및 산업 시스템 설계자는 대기 모드에서 더 많은 시스템 기능을 작동할 수 있어 사용자 경험을 향상시키고 에너지를 절약할 수 있다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations) 수석 제품 매니저인 Silvestro Fimiani는 “전력망에 계속 연결되어 있는 애플리케이션의 수와 다양성을 고려할 때 소형 파워 서플라이와 경부하에서의 효율 향상은 매우 중요하다”라며 “LinkSwitch-XT2SR IC는 소형 가전 제품과 IoT 지원 홈 & 빌딩 자동화 애플리케이션(스마트 잠금장치, 센서 기반 환경 제어 등), 다양한 산업용 애플리케이션에 광범위하게 사용될 것으로 기대한다”고 말했다. 230VAC에서 최대 15W를 제공할 수 있는 LinkSwitch-XT2SR 다중 출력 플라이백 스위처 IC는 동기 정류 드라이버와 보조, 저전류, µVcc 출력을 통합하여 부품 수를 줄이고, MCU에 직접 전원을 공급한다. 또한 고급 보호 및 안전 기능으로 히스테리시스 써멀 셧다운(OTP), 드레인 핀과 다른 모든 핀 사이의 확장된 연면거리가 포함되어 필드 신뢰성을 높인다. 725V MOSFET은 탁월한 서지 내성을 제공하며, 900V 스위치는 산업용 애플리케이션과 주 전압 변동으로 인해 추가 안전 마진이 필요한 지역에 사용할 수 있다. 웹사이트: https://www.power.com/
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인피니언, 향상된 열 성능·전력 밀도·손쉬운 어셈블리 위한 TOLL 패키지 650V ‘CoolSiC™ MOSFET’ 제품군 출시인피니언 테크놀로지스는 TOLL(TO leadless) 패키지를 적용한 실리콘 카바이드(SiC) ‘CoolSiC™ MOSFET’ 650V 제품군을 출시했다. 이들 새로운 SiC MOSFET은 인피니언의 포괄적인 CoolSiC 포트폴리오를 더 강화하며 서버, 텔레콤 인프라, 에너지 저장 시스템, 배터리 포메이션 솔루션 등의 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 최고의 신뢰성을 달성하며 사용 편의성을 높이도록 설계됐다. CoolSiC 650V 고성능 트렌치 기반 SiC MOSFET은 다양한 애플리케이션을 지원하도록 다양한 구성으로 제공된다. JEDEC 인증 TOLL 패키지의 새로운 제품군은 낮은 기생 인덕턴스를 특징으로 해 높은 스위칭 주파수, 낮은 스위칭 손실, 우수한 열 관리 및 자동 어셈블리를 가능하게 한다. 콤팩트한 폼팩터로 보드 공간을 효율적이고도 효과적으로 사용할 수 있어 시스템 디자이너는 우수한 전력 밀도를 달성할 수 있다. 650V CoolSiC MOSFET은 가혹한 환경에서 매우 우수한 신뢰성을 자랑하므로, 반복적으로 하드 정류를 하는 토폴로지에 적합하다. 내장된 혁신적인 .XT 인터커넥트 기술은 열 저항(Rth)과 열 임피던스(Zth)를 낮춤으로써 디바이스 열 성능을 향상시킨다. 또 기생 턴온에 대한 견고성을 위해 4V 이상의 문턱전압(VGS(th)), 견고한 바디 다이오드, 업계에서 가장 강력한 게이트 산화막(GOX)을 제공해 FIT (failures in time) 레이트가 매우 낮다. 일반적으로 구동 회로를 간소화하기 위해서 0V의 컷오프 전압(VGS(off))이 권장되는데(유니폴라 구동), 이 새로운 제품군은 -5V(턴오프)에서 23V(턴온)까지 넓은 범위의 VGS 전압을 지원한다. 그럼으로써 사용 편의성을 높이고, 다른 SiC MOSFET 및 표준 MOSFET 게이트 드라이버 IC와의 호환을 가능하게 한다. 그뿐만 아니라 높은 신뢰성을 달성하고, 시스템 복잡성을 낮추고 자동 어셈블리를 가능하게 하므로, 시스템 및 생산 비용을 낮추고 시장 출시 기간을 단축하도록 한다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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마우저, 자동차/EV 및 산업용 애플리케이션 위한 스카이웍스의 XM3용 Si828x-BAWB-KIT 게이트 드라이버 보드 제품 공급마우저 일렉트로닉스는 스카이웍스 솔루션즈(Skyworks Solutions, Inc)의 XM3용 Si828x-BAWB-KIT 게이트 드라이버 보드 제품을 공급한다고 밝혔다. 복잡한 전력 스테이지 설계를 더 간단하고 비용 효율적인 솔루션으로 대체하기 위한 Si828x-BAWB-KIT는 SiC (Silicon Carbide) FET (Field Effect Transistor)에 최적화한 스카이웍스의 차세대 절연 게이트 드라이버 보드(GDB) 레퍼런스 설계다. Si828x-BAWB-KIT는 Wolfspeed의 XM3 하프 브리지 모듈과 같은 실리콘 SiC FET에 최적이라 할 수 있는 향상된 GDB 레이아웃을 자랑한다. 이는 스카이웍스 GDB와 함께 작동해 하이브리드 전기 자동차, EV 드라이브트레인 및 EV 급속 충전기, 산업용 모터 드라이브, 전원 공급 장치, AC, 브러시리스 및 DC 모터 제어 장치와 같은 까다로운 자동차 애플리케이션을 위한 전력 밀도와 전력 효율을 크게 향상시킨다. Si828x-BAWB-KIT 게이트 드라이버 보드는 강력한 스카이웍스의 GDB 단락 보호 기능을 견고한 SiC XM3 모듈과 결합해 고전압/고전류 XM3 모듈을 과부하 및 회로 손상에서 효과적으로 보호하며, 시스템의 전력 스위칭 단계를 쉽게 구현한다. Si828x 게이트 드라이버 보드는 단락 이벤트 중에 XM3 전원 모듈을 보호하도록 특별히 설계됐으며, 모든 부하 결함을 감지하고 1µs 안에 전원 모듈을 차단한다. Si828x-BAWB-KIT에는 하프 브리지 구성으로 2개의 스카이웍스 Si828x 절연 게이트 드라이버(Si8284 및 Si8285)가 포함돼 있다. 해당 키트는 2개의 절연 전원 공급 장치, +20A/-30A의 피크 출력 전류 및 125kV/s의 공통 모드 과도 내성(CMTI)을 갖췄다. 절연 전압은 5kV이며, Si828x-BAWB-KIT는 FET에 대한 불포화 감지 및 밀러 클램프(Miller Clamp) 보호 기능을 제공한다. 해당 제품에는 평가 및 프로토타이핑 프로세스를 쉽게 하기 위한 상태 표시 LED와 테스트 포인트가 제공된다. Wolfspeed XM3 하프 브리지 모듈은 표준 62㎜ 모듈의 절반 무게와 부피, 낮은 인덕턴스(6.5nH), 통합 온도 감지 및 전용 Drain-Kelvin Pin을 통해 고전력 밀도 풋프린트를 제공한다. XM3 모듈은 전도 최적화된(conduction-optimized) 3세대 MOSFET 기술을 구현해 SiC의 이점을 극대화하는 동시에, 루프 인덕턴스를 최소화하고 시스템 설계를 견고하고 단순하며 비용 효율적으로 유지하는 더 간단한 전력 버스를 가능하게 한다. Wolfspeed XM3 모듈과 스카이웍스 GDB의 결합은 이전 모듈이나 각각의 방식보다 전력 밀도가 향상된 것이 특징이다. 이 제품은 사전 테스트 및 검증 절차를 거쳐 시장에서 바로 이용할 수 있는 완벽한 솔루션을 제공한다. 웹사이트: http://www.mouser.com