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인피니언,D2PAK 적용한 CoolSiC™MOSFET 650V 제품군 출시디지털화, 도시화, e모빌리티 같은 메가트렌드로 전기 소비가 증가하면서 에너지 효율이 점점 더 중요해지고 있다. 이러한 요구에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 신뢰할 수 있고 사용하기 쉬우며 경제적인 가격대로 최상의 성능을 제공하는 새로운 CoolSiC™ 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 출시한다고 29일 밝혔다. 이들 제품은 인피니언의 첨단 SiC 트렌치 기술을 기반으로 하고 .XT 인터커넥션 기술을 적용한 컴팩트한 D2PAK SMD 7핀 패키지로 제공된다. 또한 △서버 △텔레콤 △산업용 SMPS △급속 EV 충전 △모터 드라이브 △태양광 에너지 시스템 △에너지 저장 △배터리 포메이션 같은 고전력 애플리케이션에 적합하다. 신제품은 더 높은 전류에서 향상된 스위칭 성능을 제공하고 최고 수준의 실리콘 디바이스 대비 80% 낮은 역 복구 전하(Qrr) 및 드레인-소스 전하(Qoss)를 제공한다. 감소한 스위칭 손실은 더 작은 시스템 크기로 고주파수 동작을 가능하게 해 더 높은 효율과 전력 밀도를 달성하도록 한다. 트렌치 기술은 우수한 게이트 산화막 신뢰성의 기반이며, 향상된 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 견고성으로 가혹한 환경에서도 최대의 시스템 신뢰성을 보장한다. 이들 SiC MOSFET은 반복적 하드 정류를 사용하는 토폴로지나 고온 및 가혹한 동작에 적합하다. 온도에 대한 온저항(RDS(on)) 의존성이 매우 낮아 우수한 열 동작을 나타낸다. 게이트 대 소스 전압(VGS) 범위가 -5V~23V로 넓고 0V 턴오프 VGS와 4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))을 지원하는 이번 신제품은 일반적인 MOSFET 게이트 드라이버 IC와 동작한다. 또한 양방향 토폴로지와 완전한 dv/dt 제어를 지원해 시스템 비용과 복잡성을 낮추고 통합을 수월하게 한다. .XT 인터커넥션 기술은 패키지 열 성능을 크게 향상시킨다. 표준 인터커넥션에 비해서 최대 30%까지 손실을 더 많이 소산시킨다. ◇공급 새로운 CoolSiC MOSFET 650V D2PAK 7핀(TO-263-7)은 현재 주문할 수 있으며, 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언,단락을 방지해 시스템 보호하는 'EiceDRIVER™ F3 강화버전'제품군 출시인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 자사의 절연형 EiceDRIVER™ 강화 버전(Enhanced) 게이트 드라이버 포트폴리오에 단락을 방지해 시스템을 보호하는 F3 강화 버전(1ED332x) 제품군을 추가한다고 밝혔다. 첨단 전력 전자 공학에서는 최대의 시스템 효율을 달성해 전력 밀도를 지속적으로 높이는 것이 매우 중요하다. 하지만 단락(short-circuit) 이벤트가 발생하면 시스템이 위험해진다. 이 게이트 드라이버 제품군은 안정적인 다방면의 보호를 구현해 파괴적인 단락 이벤트를 방지한다. 따라서 IGBT 같은 전통적 전력 스위치뿐만 아니라 CoolSiC™ 와이드 밴드갭 디바이스도 잘 보호한다. 이 드라이버 제품군은 산업용 드라이브, 태양광 시스템, 전기차 충전, 에너지 저장 시스템, 산업용 에어컨을 비롯한 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있다. EiceDRIVER F3 강화 버전은 8mm의 큰 연면 거리를 가진 300mil 와이드 바디 DSO 16 패키지로 제공된다. 싱글 채널 절연형 게이트 드라이버로 CMTI (공통 모드 트랜션트 내성)가 300kV/us로 매우 우수하며, 정격 출력 전류는 최대 8.5A다. 엄격한 전달 지연 매칭으로 데드타임을 최소화하면서 시스템 효율을 높이고, 고조파 왜곡을 낮춘다. 이들 드라이버는 단락 클램핑과 능동 셧다운에 능동 밀러 클램프 기능까지 포함한다. 이 제품군은 다양한 전력대로 구성됐으며, 40V 최대 출력 전압을 지원한다. 또한 높은 주변 온도 및 고속 스위칭 애플리케이션에 적합하도록 설계돼 IGBT, IGBT7, SiC MOSFET과 함께 사용하기에 적합하다. 또한 2300V 용량으로, 블로킹 전압이 1200V 이상인 전력 스위치를 지원한다. UL 1577 및 VDE 0884-11(강화 절연) 인증은 높은 애플리케이션 신뢰성과 긴 동작 수명을 보장한다. ◇공급 EiceDRIVER™ F3 강화 버전 제품과 평가 보드 EVAL-1ED3321MC12N을 현재 공급 중이다. 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언, 산업용 범용 모터 드라이브를 위한 22kW 레퍼런스 디자인 출시인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 시장 출시 시간을 크게 단축하는 사전 테스트를 거친 산업용 레퍼런스 디자인을 출시한다고 밝혔다. 이 레퍼런스 디자인은 22kW의 정격 전력을 제공하고 380~480V 3상 그리드에서 직접 동작할 수 있는 범용 모터 드라이브다. 맞춤화를 위해 레퍼런스 디자인을 완전히 재사용할 수 있으며, 고객은 실제 동작 조건에서 인피니언 제품을 평가할 수 있다. 적합한 애플리케이션은 펌프, 팬, 컴프레서 및 컨베이어 벨트 등이다. 새로운 레퍼런스 디자인은 인피니언 최신 기술을 하나의 시스템에 결합했다. 여기에는 △고전류 및 고전력 밀도를 위한 EasyPIM™ 3B IGBT7 모듈 FP100R12W3T7_B11 △최적의 EMI 성능과 저전력 손실을 달성하는 EiceDRIVER™ 컴팩트 1ED3131MC12H △최소 전력 손실로 고전류를 측정하는 XENSIV™ 전류 센서 TLI4971-A120T5가 포함된다. 1700V 차단 전압의 CoolSiC™ MOSFET IMBF170R1K0M1이 보조 전원 공급 장치의 중심 부분이다. 또 시스템은 제어용 XMC4800 및 통신용 XMC4300 마이크로컨트롤러 2개를 포함하며, 모터 제어를 위한 소프트웨어 패키지가 사전 설치돼 있다. 이러한 조합으로 하나의 디자인으로 이들 제품을 평가하고 제품 간 상호 작용을 판단할 수 있다. 모듈식 접근 방법을 완벽하게 구현하기 위한 옵션으로, 시스템을 모든 전자 부품과 냉각 시스템을 감싸는 3D 인쇄 하우징과 함께 사용할 수 있다. 하우징에는 현재 동작 조건을 보여주는 터치스크린과 외부 연결을 위한 이더캣 및 USB 인터페이스가 포함돼 있다. ◇공급 레퍼런스 디자인 REF-22K-GPD-INV-EASY3B는 지금 주문할 수 있으며, 더 자세한 내용과 전체 디자인 패키지는 홈페이지에서 확인할 수 있다. FP100R12W3T7_B11: https://bit.ly/38GZLnp 1ED3131MC12H: https://bit.ly/2WPwzZ7 TLI4971-A120T5: https://bit.ly/3BJZYCB REF-22K-GPD-INV-EASY3B: https://bit.ly/3l0FONQ
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인피니언, 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군 출시인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다. 650V CoolSiC Hybrid IGBT 3pin CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC(역률 보상)에 매우 적합하며 주요 애플리케이션은 △배터리 충전 인프라 △에너지 저장 솔루션 △태양광 인버터 △무정전 전원장치(UPS) △서버 및 텔레콤 SMPS 등이다. CoolSiC Hybrid IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합해 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60퍼센트, Eoff는 최대 30퍼센트까지 낮춘다. 또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM(bill of materials) 비용을 낮출 수 있다. TRENCHSTOP 5 IGBT를 Hybrid IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1퍼센트 향상할 수 있다. 이들 제품은 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할을 할 것이다. 순수 실리콘 디자인과 비교해서 Hybrid IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상한다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다. 고객들은 TO-247-3핀 패키지나 TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프를 할 수 있게 하고 총 스위칭 손실을 낮춘다. CoolSiC Hybrid 디스크리트 IGBT 제품군은 현재 주문할 수 있다. 40A, 50A, 75A 650V TRENCHSTOP 5 초고속 H5 IGBT에 정격이 절반인 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들과 중간 속도 S5 IGBT에 정격이 동일한 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들을 포함한다. 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr