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인피니언,1500VDC 애플리케이션을 위한 2kV CoolSic™ 디바이스 출시인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수, 이하 ‘인피니언’)가 1500VDC 애플리케이션을 위한 고전압 솔루션 2kV CoolSiC 디바이스를 출시했다. 고전력 밀도에 대한 요구가 커지면서 개발자들은 인버터 전력을 높이고 시스템 비용을 낮추기 위해 애플리케이션에 1500VDC 링크를 도입하고 있다. 1500VDC 기반 시스템은 높은 DC전압에서 빠르게 스위칭하기 위해 멀티-리벨 토폴로지가 필요하기 때문에 설계가 복잡해지고 더 많은 부품을 요구한다. 이런 새로운 과제를 해결하기 위해 인피니언은 CoolSiC™ 포트폴리오에 고전압 솔루션을 추가해 차세대 태양광, EV 충전, 에너지 저장 시스템을 지원하게 됐다. 확장된 CoolSiC 포트폴리오는 최대 1500VDC 애플리케이션을 위한 2kV 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET과 2kV SiC 다이오드를 제공한다. 새로운 SiC MOSFET은 단일 디바이스에 낮은 스위칭 손실과 높은 블로킹 전압을 결합해 1500VDC 시스템의 요구를 최적으로 충족한다. 새로운 2kV CoolSiC 기술은 낮은 드레인-소스 온 저항[RDS(on)]이 특징이다. 또 견고한 바디 다이오드는 하드 스위칭에 적합하다. 이 기술은 충분한 과전압 마진을 확보해 우주방사선(cosmic ray)으로 인한 FIT가 1700V SiC MOSFET와 비교해 10배 더 우수하다. 확장된 게이트 전압 동작 범위는 디바이스의 사용 편의성을 높인다. 새로운 SiC MOSFET 칩은 인피니언의 첨단 SiC MOSFET 기술인 M1H에 기반한다. M1H는 게이트 전압 범위를 훨씬 더 넓힐 수 있어 주어진 칩 크기의 온 저항을 향상한다. 더 넓은 게이트 전압 범위는 게이트 상에서 드라이버 및 레이아웃 관련 전압 피크의 견고함을 높이고 높은 스위칭 주파수에서도 무리 없이 작동하게 한다. 인피니언은 2kV SiC MOSFET 지원을 위해 최대 2.3kV의 기능적 절연을 적용한 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버를 제공한다. ◇공급 2kV CoolSiC MOSFET 샘플이 현재 EasyPACK™ 3B와 62mm 모듈로 제공되고 있으며 새로운 고전압 디스크리트 TO247-PLUS 패키지로도 제공될 예정이다. 또 2.3kV 절연 가능 EiceDRIVER를 포함한 평가 보드도 제공된다. 4개 부스트 회로를 포함하고 1500V PV 스트링 인버터의 MPPT 스테이지로 사용하기에 적합한 전력 모듈 Easy 3B(DF4-19MR20W3M1HF_B11)는 2022년 3분기, 하프 브리지 구성의 62mm 모듈(3mΩ, 4mΩ, 6mΩ)은 2022년 4분기에 양산을 시작한다. .XT 인터커넥션 기술을 적용한 디스크리트 제품은 2022년 연말에 공급될 예정이다. 자세한 내용은 웹사이트에서 확인할 수 있다. 인피니언 개요 인피니언 테크놀로지스는 생활의 편리함과 안전, 그리고 친환경을 추구하는 세계 반도체 솔루션 시장의 선두주자이다. 인피니언의 마이크로일렉트로닉스는 더 나은 미래를 위한 핵심 기술이다. 2021년 회계년도 (9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 5만280명의 직원들과 함께 111억유로 매출을 달성했다. 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소 (거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier (거래 심볼: IFNNY)에 등록돼 있다. 인피니언 CoolSiC 웹사이트: http://www.infineon.com/CoolSiC 웹사이트: http://www.infineon.kr
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도시바,마이크로일렉트로니카와 협력 확대한 모터 제어 개발 보드 TMPM4K용 '클리커4'출시도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 이하 ‘도시바’)이 기술 파트너 생태계를 통해 모터 제어 설계 프로젝트에 대한 지원을 강화하기로 했다. 도시바와 마이크로일렉트로니카(MikroElektronika, 이하 ‘MIKROE’)의 협력 확대에 힘입어 고객들은 새로운 평가 플랫폼을 이용할 수 있게 됐다. 클리커 4(Clicker 4) 인버터 실드를 통합한 도시바의 M4K MCU용 개발 보드인 MIKROE 클리커 4는 BLDC 모터 제어 시나리오를 비용 효율적이고 간편하게 실험할 수 있도록 지원하는 솔루션이다. TMPM4K용 클리커 4는 온보드 디버거를 탑재하고 있어 외부 디버거를 사용할 필요가 없다. 다른 MIKROE 클릭 보드(Click boards™)에 연결해 기능을 추가할 수 있는 마이크로버스(mikroBUS™) 소켓 4개, 외부 커넥터, JTAG/SWD 디버그 포트, LED 표시등, 누름 버튼도 탑재하고 있다. 또 모터 구동용 MOSFET 6개를 탑재한 클리커 4 인버터 실드의 전원을 바꾸면 모터 공급 전원을 최대 48V까지 조정할 수 있으며, 정전압 전원 5V를 통해 외부 컨트롤러 보드를 구동할 수 있다. 클리커 4의 유연한 인터페이스 기능을 활용하면 홀 센서와 증분형 인코더로 확보할 수 있다. 과전류 보호 기능도 갖추고 있어 안정성을 보장한다. M4K MCU는 차세대 모터 제어 구현 부문에서 인기를 끌며 산업 전반에 널리 사용되고 있다. M4K MCU의 기반은 부동소수점장치(FPU)와 메모리보호장치(MPU)를 갖춘 Arm® Cortex®-M4 프로세서 코어다. 160MHz까지 변환할 수 있고 첨단 프로그래머블 모터 드라이버(A-PMD) 기능은 물론 벡터 제어용 ‘첨단 벡터 엔진 플러스(A-VE+)’ 기능도 구비하고 있다. 코드 플래시 256킬로바이트, 데이터 플래시 32킬로바이트가 메모리 라인업을 구성하고 있다. 도시바 웹사이트를 통해 구입할 수 있는 MCU 모터 스튜디오(MCU Motor Studio) 소프트웨어는 TMPM4K용 클리커 4와 클리커4 인버터 실드를 지원한다. MCU 모터 스튜디오는 사용 편의성과 구조가 뛰어난 다목적 소프트웨어다. 고속 UART를 통해 매개 변수 설정, 드라이브 제어, 실시간 로깅·진단을 지원하는 모터 컨트롤 PC 툴(Motor Control PC Tool)과 설정과 확장이 쉬운 모터 컨트롤 펌웨어(Motor Control Firmware)가 MCU 모터 스튜디오의 2대 구성 요소다. 웹사이트: http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en...
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파워 인테그레이션스,SCALE EV 출시,버스트럭 ,Con-Ag Ev용 자동차 인증 lGBT/SiC 모듈 드라이버 제품군중/고전압 인버터 애플리케이션용 게이트 드라이버 기술의 선도 업체인 파워 인테그레이션스(Power Integrations)(NASDAQ: POWI)가 SCALE™ EV 게이트 드라이버 제품군(Infineon EconoDUAL™ 모듈용)을 발표했다. 오리지널, 클론, 새 SiC 변형에 적합한 이 드라이버는 버스, 트럭 등 EV, 하이브리드 및 연료 전지 차량용 고출력 자동차 및 트랙션 인버터는 물론 건설, 광산, 농업용 장비를 대상으로 한다. SCALE EV 보드 레벨 게이트 드라이버는 2개의 강화된 게이트 드라이브 채널, 관련 파워 서플라이, 모니터링 원격 측정을 통합한다. 새로운 보드는 자동차 인증과 ASIL B 인증을 획득했기 때문에 ASIL C 트랙션 인버터 설계를 구현할 수 있다. 첫 번째로 출시될 SCALE EV 제품군은 EconoDUAL 900A 1200볼트 IGBT 하프 브리지 모듈용으로 설계된 2SP0215F2Q0C이다. Peter Vaughan 파워 인테그레이션스(Power Integrations) 자동차 사업 개발 이사는 “게이트 드라이버 설계는 전기차의 성능과 신뢰성에 매우 중요하다. 개발, 시험, 인증뿐만 아니라 ASIL 인증까지도 이미 획득한 제품을 제공함으로써 개발 시간과 비용을 획기적으로 절감하고 있다”고 말했다. 혁신적인 새 드라이버 IC가 제공하는 높은 수준의 통합은 게이트 전원을 포함한 드라이버 보드 전체를 전원 모듈의 윤곽에 맞출 수 있도록 하는 동시에 IEC 60664 표준에 따라 강화된 절연에 필요한 간격을 제공한다. 또한 ASIC 패키지는 800볼트 차량 시스템 전압에 대한 요구 사항을 충족하도록 특별히 설계된 11.4mm의 연면거리와 공간거리를 제공한다. 시스템 마이크로컨트롤러에 대한 입력과 출력 라인은 기능상의 안전 요구 사항을 충족하기 위해 2개의 독립된 온보드 커넥터를 통해 연결되며, 보드 자체에서 생성되는 다른 절연 전압과 함께 채널당 단일 5V 공급이 필요하다. SCALE EV 게이트 드라이버 제품군은 400볼트와 800볼트 시스템에 대해 1200V 정격이며, 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET과 실리콘 IGBT를 모두 지원한다. 이 설계는 5500미터 고도 등급을 적용했고, 기술적 청결 요구 사항을 위해 컨포멀 코팅을 선택적으로 사용할 수 있다. 이 설계는 액티브 회로 단락, 연결된 DC-링크 커패시터의 액티브 방전, 액티브 게이트 제어를 통한 과전압 제한, 게이트 모니터링, 신호 전송 모니터링, 온칩 온도 모니터링과 같은 진단 기능, SiC MOSFET의 경우 1마이크로초 미만, IGBT의 경우 3마이크로초 미만의 회로 단락 및 과전류 응답 등 광범위한 보호 기능을 포함한다. 제공 방식 및 자료 SCALE EV의 지원 자료에는 데이터 시트, pressFIT 툴 CAD 설계, RDHP-2250Q 어댑터 브레이크아웃 보드, PC 기반 소프트웨어가 포함된다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)는 특정 IGBT 또는 SiC 다이의 스위칭 성능을 조정하고, 새로운 모듈 폼 팩터의 레이아웃을 사용자 지정할 수 있는 설계 서비스를 제공한다. 2SP02152FQ의 샘플은 현재 이용 가능하며, 2022년 4분기에 정식 출시될 예정이다. 가격은 100개 기준으로 개당 200달러부터 시작한다. 자세한 내용은 파워 인테그레이션스(Power Integrations) 영업 담당자에게 문의할 수 있고, SCALE EV에 대한 간략한 소개 동영상은 www.power.com/products/scale-ev 를 통해 확인할 수 있다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations) 개요 Power Integrations, Inc.는 고전압 전력 변환을 위한 반도체 기술의 선도적 혁신 기업이다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 제품은 재생 가능한 에너지의 생산과 밀리와트에서 메가와트에 이르는 범위의 애플리케이션에서 효율적인 전력 전달 및 소비를 가능하게 해 클린 파워 에코시스템에 이바지한다. 자세한 내용은 www.power.com 에서 확인할 수 있다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations), 파워 인테그레이션스(Power Integrations) 로고, power.com, SCALE은 Power Integrations, Inc.의 상표 또는 등록 상표이며, Infineon 및 EconoDUAL은 Infineon Technologies AG의 등록 상표다. 기타 모든 상표는 각 상표권자의 재산이다. 웹사이트: https://www.power.com/
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인피니언,첨단 CoolSiC™ M1H 기술로 1200V SIC MOSFET 포트폴리오 확장인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolSiC™ 기술인 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H를 21일 발표했다. 첨단 실리콘 카바이드(SiC) 칩은 널리 사용되는 다양한 Easy 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공될 것이다. 유연성이 뛰어난 M1H 칩은 태양광 에너지 시스템의 인버터같이 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션뿐만 아니라 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 및 다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다. CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 해 주어진 다이 크기로 온저항을 향상한다. 또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다. ◇Easy 모듈로 전력 밀도 향상 널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해서 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상하게 됐으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다. 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높이고 업계에서 가장 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 됐다. M1H 칩을 사용해서 모듈의 온저항을 크게 향상하고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있게 됐다. 175°C의 최대 접합부 온도는 과부하 성능을 향상함으로써 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높이도록 한다. 앞서 출시된 M1과 비교해서 M1H는 내부 RG를 포함하므로 스위칭 동작을 쉽게 최적화할 수 있으며, 동적 동작은 그대로이다. ◇온저항이 매우 낮은 디스크리트 패키지 제품 CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하며, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다. 인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용됐으며, 이제 TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30% 이상 향상시킨다. 이 열적 이점은 출력 전력을 15%까지 높일 수 있다. 또는 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있으며 그럼으로써 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 .XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮춰 전원 사이클링 성능을 향상시키고 시스템 수명을 늘린다. 이 점은 서보 드라이브 같은 애플리케이션에서 중요하다. ◇공급 모듈 및 디스크리트 제품은 현재 주문할 수 있으며, 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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텔레다인르크로이,GaN.Sic 반도체분석 위한 가장 정확한 측정 시스템개발텔레다인르크로이(지사장 이운재)는 새로운 1GHz DL-ISO 고전압 Wide Band Gap 프로브·전력 반도체 소자 테스트 소프트웨어를 출시했다고 14일 밝혔다. 이 소프트웨어는 고해상도 오실로스코프(HDO®)와 결합해 GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스의 가장 정확한 전기적 특성을 제공한다. 30년 이상 동안 엔지니어들은 실리콘(Si) 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 전력 반도체 장치를 사용해 전력 공급과 전력 변환 시스템을 생산해 왔다. 하지만 소비자들은 더 작고 가벼운 전원 공급 장치와 시스템을 요구하고 있으며, 정부는 더 높은 효율성을 요구하고 있다. GaN, SiC 등 WBG 소재는 반도체 소자에서 Si보다 10배 이상 빠르게 전환되며, 크기와 무게는 줄이면서도 효율은 높였다. 하지만 많은 엔지니어가 WBG 반도체를 처음 구현하고, 있으며 더 많은 측정 대역폭과 반도체 디바이스에 대한 보다 정확하고 상세한 분석이 필요하다. 새로운 텔레다인르크로이 DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 설계 엔지니어에게 가장 신뢰도가 높은 GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스 측정을 제공한다. 이 새로운 프로브는 업계 최고의 12비트 해상도 HDO와 결합했을 때 1.5%에 달하는 최고의 신호 충실도, 가장 낮은 오버슈트 및 최고의 정확도를 자랑한다. 유일한 경쟁사보다 거의 두 배나 우수하다. 1GHz 대역폭은 GaN 장치 1ns 상승 시간을 측정하기 위한 요구 사항을 충족한다. 또한 HDO는 고속 GaN 및 SiC 장치 신호의 가장 충실한 신호 포착 및 관측 및 측정을 하도록 12비트 해상도로 최대 20GS/s의 샘플링 속도를 제공한다. 최상의 신호 충실도, 낮은 오버슈트, 높은 정확도, 높은 대역폭 및 높은 샘플링 속도 조합은 새로운 설계에서 GaN 및 SiC 기술을 성공적으로 구현하기 위해 매우 중요하다. 텔레다인르크로이의 새로운 파워 디바이스 소프트웨어 패키지는 JEDEC®에서 기술하는 오실로스코프를 이용한 스위칭 손실 측정 방법을 자동화해 GaN 및 SiC 디바이스 손실 측정을 간단하게 수행할 수 있다. Turn-on, Turn-off 등의 측정 대상 영역을 하이라이트한 컬러 오버레이 기능으로 구분해 표시한다. 텔레다인르크로이코리아 개요 텔레다인르크로이(Teledyne LeCroy)는 오실로스코프, 시리얼 데이터 분석기, 프로토콜 분석기의 리더로서 복잡한 전자 신호에 대한 빠른 측정과 분석, 검증을 제공함으로써 제품 혁신을 이끌어내는 기기를 개발한다. 2012년 4월 65GHz 대역의 LabMaster 10Zi 오실로스코프를 출시하면서 최고의 기술력으로 시장을 선도하고 있다. 텔레다인르크로이의 광범위한 테스트 솔루션은 컴퓨터/반도체/소비 가전, 데이터 스토리지, 차량/산업용, 군사/항공우주 분야에 적용되며 ‘WaveShape 분석’의 창시자이자 리더로서 오늘날 정보통신 산업에 기여했다. 텔레다인르크로이는 미국 뉴욕 체스트넛 리지에 본사가 있고, 1964년 설립됐다. 한국 지사인 텔레다인르크로이코리아는 1998년 설립됐다. 홈페이지에서 더 자세한 정보를 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.teledynelecroy.com/korea
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인피니언,D2PAK 적용한 CoolSiC™MOSFET 650V 제품군 출시디지털화, 도시화, e모빌리티 같은 메가트렌드로 전기 소비가 증가하면서 에너지 효율이 점점 더 중요해지고 있다. 이러한 요구에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 신뢰할 수 있고 사용하기 쉬우며 경제적인 가격대로 최상의 성능을 제공하는 새로운 CoolSiC™ 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 출시한다고 29일 밝혔다. 이들 제품은 인피니언의 첨단 SiC 트렌치 기술을 기반으로 하고 .XT 인터커넥션 기술을 적용한 컴팩트한 D2PAK SMD 7핀 패키지로 제공된다. 또한 △서버 △텔레콤 △산업용 SMPS △급속 EV 충전 △모터 드라이브 △태양광 에너지 시스템 △에너지 저장 △배터리 포메이션 같은 고전력 애플리케이션에 적합하다. 신제품은 더 높은 전류에서 향상된 스위칭 성능을 제공하고 최고 수준의 실리콘 디바이스 대비 80% 낮은 역 복구 전하(Qrr) 및 드레인-소스 전하(Qoss)를 제공한다. 감소한 스위칭 손실은 더 작은 시스템 크기로 고주파수 동작을 가능하게 해 더 높은 효율과 전력 밀도를 달성하도록 한다. 트렌치 기술은 우수한 게이트 산화막 신뢰성의 기반이며, 향상된 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 견고성으로 가혹한 환경에서도 최대의 시스템 신뢰성을 보장한다. 이들 SiC MOSFET은 반복적 하드 정류를 사용하는 토폴로지나 고온 및 가혹한 동작에 적합하다. 온도에 대한 온저항(RDS(on)) 의존성이 매우 낮아 우수한 열 동작을 나타낸다. 게이트 대 소스 전압(VGS) 범위가 -5V~23V로 넓고 0V 턴오프 VGS와 4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))을 지원하는 이번 신제품은 일반적인 MOSFET 게이트 드라이버 IC와 동작한다. 또한 양방향 토폴로지와 완전한 dv/dt 제어를 지원해 시스템 비용과 복잡성을 낮추고 통합을 수월하게 한다. .XT 인터커넥션 기술은 패키지 열 성능을 크게 향상시킨다. 표준 인터커넥션에 비해서 최대 30%까지 손실을 더 많이 소산시킨다. ◇공급 새로운 CoolSiC MOSFET 650V D2PAK 7핀(TO-263-7)은 현재 주문할 수 있으며, 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언,PQFN 2X2 OptiMOS™5 25V 및 30V 솔루션 출시인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 디스크리트 전력 MOSFET의 새로운 기준을 제시하는 PQFN 2x2㎟ OptiMOS™ 5 25V 및 30V 제품을 출시한다고 10일 밝혔다. 박막 웨이퍼 기술에 혁신적인 패키징을 결합한 이들 신제품은 초소형 폼팩터로 향상된 성능을 제공한다. OptiMOS 5 25V 및 30V 제품은 △서버 △텔레콤 브릭 △휴대용 충전기 및 무선 충전용 SMPS (Switched Mode Power Supply)의 동기 정류에 최적화됐다. 또한 드론에 사용되는 소형 브러쉬리스 모터의 전자 속도 제어(ESC)에도 적합한 데, 드론은 작은 폼팩터와 가벼운 무게가 매우 중요하다. 동급 최고 성능의 PQFN 2x2 디바이스는 새로운 차원의 전력 밀도와 에너지 효율을 제공하며 업계에서 온 상태 저항이 가장 낮다. 초소형 2mmx2mm 패키지 풋프린트는 PCB 레이아웃 배선 유연성을 높인다. 또한 뛰어난 전기적 성능을 제공해 애플리케이션이 전력 밀도와 폼팩터를 향상하도록 하고, 낮아진 시스템 온도와 향상된 성능은 열 관리를 완화하도록 한다. 이러한 점들이 모여서 애플리케이션의 크기를 줄이고, 공간을 절약하고, 시스템 비용 및 설계 작업을 줄이도록 한다. ◇공급 PQFN 2x2 OptiMOS™ 5 25V 및 30V 전력 MOSFET 제품은 아래와 같은 구성으로 제공된다. ·PQFN 2x2 25V: 2mmx2mm, RDS(on) 2.4mΩ(ISK024NE2LM5) ·PQFN 2x2 30V: 2mmx2mm, RDS(on) 3.6mΩ(ISK036N03LM5) ·OptiMOS™ 5 25V/30V의 추가 정보는 홈페이지에서 확인할 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언,단락을 방지해 시스템 보호하는 'EiceDRIVER™ F3 강화버전'제품군 출시인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 자사의 절연형 EiceDRIVER™ 강화 버전(Enhanced) 게이트 드라이버 포트폴리오에 단락을 방지해 시스템을 보호하는 F3 강화 버전(1ED332x) 제품군을 추가한다고 밝혔다. 첨단 전력 전자 공학에서는 최대의 시스템 효율을 달성해 전력 밀도를 지속적으로 높이는 것이 매우 중요하다. 하지만 단락(short-circuit) 이벤트가 발생하면 시스템이 위험해진다. 이 게이트 드라이버 제품군은 안정적인 다방면의 보호를 구현해 파괴적인 단락 이벤트를 방지한다. 따라서 IGBT 같은 전통적 전력 스위치뿐만 아니라 CoolSiC™ 와이드 밴드갭 디바이스도 잘 보호한다. 이 드라이버 제품군은 산업용 드라이브, 태양광 시스템, 전기차 충전, 에너지 저장 시스템, 산업용 에어컨을 비롯한 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있다. EiceDRIVER F3 강화 버전은 8mm의 큰 연면 거리를 가진 300mil 와이드 바디 DSO 16 패키지로 제공된다. 싱글 채널 절연형 게이트 드라이버로 CMTI (공통 모드 트랜션트 내성)가 300kV/us로 매우 우수하며, 정격 출력 전류는 최대 8.5A다. 엄격한 전달 지연 매칭으로 데드타임을 최소화하면서 시스템 효율을 높이고, 고조파 왜곡을 낮춘다. 이들 드라이버는 단락 클램핑과 능동 셧다운에 능동 밀러 클램프 기능까지 포함한다. 이 제품군은 다양한 전력대로 구성됐으며, 40V 최대 출력 전압을 지원한다. 또한 높은 주변 온도 및 고속 스위칭 애플리케이션에 적합하도록 설계돼 IGBT, IGBT7, SiC MOSFET과 함께 사용하기에 적합하다. 또한 2300V 용량으로, 블로킹 전압이 1200V 이상인 전력 스위치를 지원한다. UL 1577 및 VDE 0884-11(강화 절연) 인증은 높은 애플리케이션 신뢰성과 긴 동작 수명을 보장한다. ◇공급 EiceDRIVER™ F3 강화 버전 제품과 평가 보드 EVAL-1ED3321MC12N을 현재 공급 중이다. 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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인피니언,새로운 MERUS™ 클래스 D 오디오 증폭기 멀티칩 모듈 출시클래스 D 오디오 전력 증폭기는 작은 크기, 낮은 열 발생, 높은 통합 수준, 우수한 음질 등 여러 장점을 제공한다. 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 우수한 전력 MOSFET 기술을 활용해 MERUS™ 2채널 아날로그 입력 클래스 D 오디오 증폭기 멀티칩 모듈(MCM) MA5332MS를 출시한다고 밝혔다. 이전 세대 제품에서 크게 업그레이드된 MA5332MS는 히트싱크 없이 50% 더 작은 풋프린트로 모노리딕 솔루션과 동일하거나 더 높은 출력을 제공한다. 채널당 100W~400W를 제공하는 MA5332MS는 홈시어터 박스, 사운드바, 서브 우퍼, 미니 컴포넌트 시스템 등 컨슈머 제품에 이상적이다. 그뿐만 아니라 액티브 스피커, 액티브 스튜디오 모니터, 기타 앰프, 자동차 애프터마켓, 선박용 오디오 앰프 같은 전문가용 애플리케이션에도 적합하다. MA5332MS는 컴팩트한 7mm x 7mm 42핀 QFN 패키지에 듀얼 채널 PWM 컨트롤러, 고전압 게이트 드라이버, RDS (on)이 낮은 4개 MOSFET을 통합했다. 클래스 D 출력 스테이지 RDS (on)(24.4 mΩ typ.)이 매우 낮으므로 히트싱크 없이 2x100W @ 4Ω, 소형 8°C/W 히트싱크를 사용하면 2x200W @ 4Ω를 제공할 수 있다. 따라서 다른 싱글칩 솔루션과 비교해서 크기를 크게 줄일 수 있다. 또한 MA5332MS는 단일 또는 분할 전원을 사용해서 차동 또는 싱글 엔디드(SE) 입력에 싱글 엔디드(2x SE), 브리지 연결 부하(BTL), 병렬 싱글 엔디드(PSE) 같은 다양한 출력 구성을 할 수 있다. BTL 대신에 SE 토폴로지를 사용할 수 있으므로 버스 커패시터와 출력 저역 통과 필터를 줄일 수 있다. 고집적 멀티칩 모듈 MA5332MS는 과전류, 과열, 저전압 보호와 셀프 리셋 기능을 위한 보호회로도 포함한다. 이러한 온칩 보호회로 덕분에 외부 부품을 사용해서 보호회로를 설계하지 않아도 된다. 그뿐만 아니라 소프트 스타트 동작 제어를 위한 새로운 내부 로직은 클릭 잡음과 팝 잡음을 줄인다. 이러한 향상된 기능으로 MA5332MS는 BOM 비용과 열 관리 문제를 줄여서 산업용 디자인에 여유 공간을 제공하고 우수한 효율과 낮은 출력 왜곡을 달성한다. ◇공급 MERUS 클래스 D 오디오 증폭기 멀티칩 모듈 MA5332MS는 PG-IQFN-42 패키지로 제공되며, 현재 주문을 받고 있다. 추가 정보는 MA5332MS 및 Class D Audio Amplifier IC 홈페이지에서 볼 수 있다. 웹사이트: http://www.infineon.kr
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파워인테그레이션스,업계 최초로 1700V SIC MOSFET 적용된 자동차 인증 고전압 스위처 IC도입에너지 효율적인 전력 변환용 고전압 IC 선도업체인 파워 인테그레이션스(Power Integrations)(나스닥:POWI)는 15일 두 개의 새로운 AEC-Q100 인증, 1700V 정격 IC가 InnoSwitch™3-AQ 제품군에 추가됐다고 발표했다. 이 새로운 디바이스는 업계 최초로 SiC(실리콘 카바이드) 1차측 스위칭 MOSFET을 통합한 자동차 인증 스위칭 파워 서플라이 IC이다. 최대 70W의 출력 전력을 제공하는 IC는 600V 및 800V 배터리와 연료 전지 전기 자동차, 전기 버스, 트럭 및 광범위한 산업용 전력 애플리케이션을 대상으로 한다. 고집적 InnoSwitch IC는 파워 서플라이 구현에 필요한 부품 수를 최대 50% 줄임으로써 상당한 회로 기판 공간을 절약하고, 시스템 신뢰성을 향상하며, 부품 소싱 문제를 완화한다. 수상 경력의 InnoSwitch 제품군 디바이스는 가성비가 뛰어난 실리콘, 고효율 GaN(갈륨 나이트라이드), 고전압 SiC 트랜지스터를 선택할 수 있게 해 설계자는 다양한 가전제품, 컴퓨터, 통신, 산업 및 자동차 애플리케이션에서 전력 솔루션을 최적화할 수 있다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 자동차 사업 개발 부문 이사인 Peter Vaughan은 다음과 같이 말했다. “800V 배터리는 EV의 표준 배터리로 자리매김하고 있습니다. 여러 차량 시스템이 이 강력한 전원에 연결돼 있지만 정교한 전자 제어 회로의 작동과 통신에는 불과 몇 볼트의 전압만 필요합니다. InnoSwitch 디바이스는 전자제품이 최소한의 기판 면적을 사용해 에너지 낭비 없이 메인 버스에서 사용할 수 있는 에너지를 파이어호스로부터 안전하게 끌어올 수 있게 해줍니다. 가장 흥미로운 것은 이는 메인 트랙션 인버터의 비상용 파워 서플라이를 크게 단순화할 수 있는 기회이며, 30V~1000V 사이의 모든 전압에서 작동하도록 알림을 받은 즉시 호출될 수 있다는 점입니다. 당사의 SiC 기반 InnoSwitch3-AQ 디바이스는 이처럼 넓은 범위를 믿을 수 없을 정도로 쉽게 처리할 수 있습니다.” 소형 InSOP™-24D 패키지로 제공되는 이 새로운 IC는 FluxLink™ 피드백 링크를 사용해 2차측 컨트롤에 최대 5000m의 강화된 절연을 제공한다. FluxLink 기술은 출력 전압의 직접 센싱이 가능해 정확한 레귤레이션과 매우 빠른 과도 응답 등 장점을 제공한다. 회로는 외부 회로 없이 30V에서 시작하며 이는 기능 안전에 매우 중요하다. 추가 보호 기능으로는 입력 저전압, 출력 과전압 및 과전류 제한이 있다. 동기 정류 및 QR(유사 공진)/CCM 플라이백 컨트롤러가 포함돼 있으므로 90% 이상의 효율성을 구현해 가장 엄격한 OEM 요구 사항을 쉽게 충족한다. 이러한 새 부품은 무부하 시 15mW 미만의 전력을 소비하므로 배터리 관리 시스템의 자체 방전을 줄이는 데 이상적이다. InnoSwitch3-AQ 1700V 부품은 산업용 시장에도 적용되며, 산업용 시장에서는 통합 솔루션이 디스크리트 컨트롤러 + MOSFET 설계를 대체해 공간, 시간, 비용을 절약하는 동시에 재생 에너지, 산업용 모터 드라이브, 배터리 스토리지, 미터링 등 애플리케이션의 신뢰성을 향상한다. 제공 방식 및 리소스 레퍼런스 디자인인 DER-913Q 및 하드웨어 키트인 RDK-919Q가 InnoSwitch3-AQ 1700V IC를 평가하려는 설계자를 위해 제공된다. 디바이스 가격은 대량 주문 기준으로 INN3947CQ-TL은 5.64달러, INN3949CQ-TL은 9.02달러이다. 자세한 내용은 파워 인테그레이션스(Power Integrations) 판매 대리점이나 전 세계 공식 판매점인 Digi-Key, Farnell, Mouser, RS Components 중 한 곳에 문의하거나 power.com을 방문하면 확인할 수 있다. 웹사이트: https://www.power.com/